Được phát triển đặc biệt để phân tích mặt sóng trong các tình huống nghiên cứu khoa học, quốc phòng và công nghiệp tốc độ cao như bắn bay và trường dòng chảy, nó có độ phân giải cực cao 420×420 (176400) điểm pha, đáp ứng phổ rộng 400-1100nm, và 107 khung lấy mẫu tốc độ cao, cung cấp công cụ đo cảm biến mặt sóng lý tưởng để phát hiện độ nhám bề mặt wafer, đo hình thái vi mô trên nền silicon và thủy tinh, quang học khí động học, dòng chảy tốc độ cao trường, đo mật độ plasma khí, v.v.
FIS4-HS tốc độ cực caocảm biến nhiễu bốn sóngkết hợp công nghệ nhiễu xạ bốn sóng được mã hóa ngẫu nhiên đã được cấp bằng sáng chế với camera tốc độ cao và can thiệp vào vị trí mặt phẳng hình ảnh phía sau. Nó có yêu cầu thấp về sự kết hợp nguồn sáng và không yêu cầu dịch pha. Các hệ thống hình ảnh thông thường có thể đạt được phép đo nhiễu. Nó có khả năng chống rung cực cao, độ ổn định cực cao và chụp ảnh tốc độ cực cao. Nó có thể đạt được phép đo chính xác ở cấp độ nm mà không cần cách ly rung.
Các tính năng chính
◆ Độ phân giải cực cao của các điểm pha 420×420 (176400)
◆ Tốc độ khung hình lấy mẫu lên tới 107 khung hình/giây
◆ Ánh sáng đường đơn tự giao thoa, không cần ánh sáng tham chiếu
◆ Dải phổ rộng 400nm~1100nm
◆ Độ phân giải pha cao RMS 2nm
◆ Chống rung cực mạnh, không cần cách ly rung quang học
◆ Xây dựng đường dẫn quang đơn giản và nhanh chóng như hình ảnh
◆ Hỗ trợ chùm chuẩn trực, chùm hội tụ NA lớn
Ứng dụng sản phẩm
Phát hiện độ nhám bề mặt wafer, đo hình thái vi mô trên nền silicon, thủy tinh, quang học khí động học, trường dòng chảy tốc độ cao, đo mật độ plasma khí.
